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DRAM和閃存封裝的通用監(jiān)控老化測(cè)試儀。通過(guò)在不同條件下控制每個(gè)溫度區(qū),客戶能夠在可靠性驗(yàn)證測(cè)試中最大限度地提高系統(tǒng)利用率。系統(tǒng)有能力測(cè)試所有功能項(xiàng)目。
HSBI(High Speed Memory Burn in Tester)是200MHz/400MBPS Memory Burn in Tester,集成了200MHz模式生成器、定時(shí)生成器和外形因素,提供故障存儲(chǔ)器和冗余分析處理器作為可選。
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